MLED 器件
MLED Devices
MLED（Mini/Micro LED）是芯泓宇面向下一代显示技术布局的战略方向，涵盖 Mini LED 背光与直显两大场景，以区域调光、高像素密度、无缝拼接为核心技术优势。
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核心优势
- Mini/Micro LED 前沿布局，技术储备完善
- 区域调光，对比度 1,000,000:1
- 像素间距 P0.4–P1.2，面向 4K/8K
- 无缝拼接，任意尺寸定制
产品系列
产品规格参数
以下为核心器件标准规格（典型值），具体型号以对应 Datasheet 为准。
显示性能
| 芯片尺寸 | < 100 μm |
| 像素间距 | P0.4 – P1.2 mm |
| 色域 | DCI-P3 95%+ |
| 对比度 | 1,000,000 : 1 |
| 刷新率 | 3840 Hz |
技术特性
| 布局 | Mini / Micro LED 前沿 |
| 调光 | 区域调光 |
| 分辨率 | 面向 4K / 8K |
环境
| 工作温度 | -20 – +70 ℃ |
| 寿命 | ≥ 50,000 h |
以上参数为典型值，实际值以对应产品规格书（Datasheet）为准。Micro LED 概念系列为技术储备方向，欢迎垂询定制。