技术突破｜LED行业洞察 2026-09-21

技术突破

1. 元旭半导体披露玻璃基 Micro LED 最新进展

原文链接：https://www.eet-china.com/mp/a472079.html

元旭半导体推出 MOG（Micro-LED on Glass）技术，主芯片尺寸缩小至 50μm 以下，具备 99.6% 纯黑覆盖率和 300,000:1 超高对比度，整体成本较 Mini LED 减少 50%、生产效率提升 200%，天津超级工厂 Micro LED 模组月产能达 3000㎡。

2. 厦门大学团队首次制造 403PPI TFT 基 Micro-LED 全彩屏

原文链接：https://www.laserfair.com/m/news/202410/28/87099.html

厦门大学联合天马微电子提出激光巨量转移多因子关联决策方案，转移效率达 36kk/h，蓝绿光一次转移良率 99.87%、修复后良率达 99.999%，首次成功制造像素密度 403PPI 的超视网膜 TFT 基全彩屏。

3. UCSB 首创电化学刻蚀 Micro-LED 转移技术

原文链接：https://www.semiconductor-today.com/news_items/2026/jun/ucsb-120626.shtml

加州大学圣塔芭芭拉分校首次实现器件尺寸低至 3μm 的垂直 Micro-LED 全功能转移，采用选择性电化学刻蚀与直接晶圆键合，为 III 族氮化物器件提供低损伤、高通量的异质集成路径。

本文由「LED行业洞察库」自动采集整理，来源为公开行业资讯。